半導體
CIGS太陽能薄膜電沉積
非晶硅薄膜沉積
CZ晶體生長
測溫范圍
250℃ 1800℃
測溫精度
±1.5℃
光譜響應波長
0.96/1.02μm
重復性
±0.1℃
測溫分辨率
0.001℃
響應時間
50 ms